Samsung представляє першу 12-нм динамічну оперативну пам’ять

Samsung Electronics у середу оголосила про розробку своєї 16 ГБ динамічної оперативної пам’яті, створеної з використанням першої в галузі 12-нанометрової технології.

У зв’язку з тим, що масове виробництво має розпочатися у 2023 році, компанія заявила, що «її нова оперативна пам’ять покращить обчислення наступного покоління, центри обробки даних і додатки штучного інтелекту з найкращою в галузі продуктивністю та більшою енергоефективністю».

«Завдяки винятковій продуктивності та енергоефективності ми очікуємо, що наша нова DRAM послужить основою для більш стійких операцій у таких сферах, як обчислення наступного покоління, центри обробки даних і системи, керовані штучним інтелектом», — Чжуйон Лі, виконавчий віце-президент DRAM Product

Крім того, у поєднанні з вдосконаленою багатошаровою ультрафіолетовою (EUV) літографією нова DRAM має найвищу в галузі щільність матриці, що дозволяє збільшити продуктивність пластин на 20 відсотків.

Компанія стверджує, що нова DRAM класу 12 нм допоможе розблокувати швидкість до 7,2 Гбіт/с, що допоможе їй обробити два 30-гігабайтні UHD-фільми лише за одну секунду.

«Ми раді знову співпрацювати з Samsung, зокрема щодо представлення продуктів пам’яті DDR5, які оптимізовані та перевірені на платформах «Zen», — сказав у заяві Джо Макрі, старший віце-президент, корпоративний співробітник і технічний директор з обчислень та графіки AMD.

Споживаючи на 23 відсотки менше енергії, ніж попередня DRAM, 12-нм клас DRAM стане ідеальним рішенням для глобальних ІТ-компаній, які прагнуть до більш екологічно чистих операцій, заявили в компанії.

Підписатися
Сповістити про
guest
0 комментариев
Вбудовані Відгуки
Переглянути всі коментарі